特許
J-GLOBAL ID：200903044918266596
位相シフト型分布帰還半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118660
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307179
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】位相シフト型分布帰還型半導体レーザに関し、特に簡易な作製法でλ/4位相シフト構造の作製を容易に可能とする分布帰還型半導体レーザの構造及びその作製方法を提供する。さらに、このようなレーザを搭載した低コストで高性能動作可能な光モジュールを提供する。【解決手段】レーザ共振器内部において、共振器長方向に回折格子を形成した領域を少なくとも1ヶ所の回折格子非形成領域を挟んで設け、これらの領域での光波の伝搬定数が互いに異なるように構成した部分回折格子構造を採用し、さらにこれら2種類の領域の伝搬定数の差Δβと回折格子非形成領域の共振器長方向の長さ(複数形成の場合は、その和)Lsとが「0.4π<Δβ・Ls<0.6π」なる関係を満たすように半導体レーザ素子を構成する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板上に第1の導電型のバッファ層、発光層と該発光層の近傍層に放出された光を分布反射するための光の進行方向に沿う周期的回折格子、及び第2の導電型のクラッド層を有し、且つレーザ共振器内部に該回折格子が形成されていない領域を少なくとも一ケ所設けることによりこの領域での光波の伝搬定数を回折格子が形成された領域と異なる値に設定した部分回折格子構造の分布帰還半導体レーザにおいて、二領域の伝搬定数の差Δβと回折格子が形成されない領域の長さの和Lsとの間に、0.4π<Δβ・Ls<0.6πの関係があることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
引用特許：
出願人引用 (5件)
-
特開昭64-051687
-
特開昭61-216383
-
特開昭60-247986
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
