不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046728
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243926
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置に用いられる高耐圧トランジスタと低電圧トランジスタとでLDD構造を同時に形成した場合に低電圧トランジスタにおいては寄生抵抗が大きく、電流駆動能力が低下してしまう。【解決手段】LDD側壁を2種類用意し、高耐圧トランジスタには2種類低電圧トランジスタには1種類の側壁を用いるようにする。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積層を有する不揮発性メモリ素子と、LDD側壁を有する第一のMOSトランジスタと、前記第一のMOSトランジスタよりゲート絶縁膜が薄く、かつLDD側壁を有する第二のMOSトランジスタを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記第一のMOSトランジスタのLDD側壁は、ゲート電極に近いほうから夫々第一および第二の側壁から形成され、第一のMOSトランジスタにおいてはLDDを構成する基板と逆導電型の拡散層が第一および第二のLDD側壁の何れの下にも形成され、前記LDD拡散層よりも濃度の濃い拡散層が前記第二の側壁の外側に形成されており、前記第二のMOSトランジスタにおいては基板と逆導電型のLDD拡散層が前記第一の側壁の下に形成され、前記LDD拡散層よりも濃度の濃い拡散層が第一の側壁の外側に形成されることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/10 481 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 481 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (33件)：

5F001AA25 , 5F001AB08 , 5F001AD16 , 5F001AD17 , 5F001AD18 , 5F001AD20 , 5F001AD44 , 5F001AF10 , 5F001AG10 , 5F001AG12 , 5F001AG21 , 5F001AG29 , 5F001AG40 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP63 , 5F083ER22 , 5F083GA02 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA24 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA06 , 5F083ZA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-052276 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327642 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-153720 出願人：沖電気工業株式会社

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