特許
J-GLOBAL ID：200903044934033550

トレンチ素子分離の形成方法

発明者：
徳永 和彦

徳永 和彦 について

, 
鈴木 利彦

鈴木 利彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072567
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263537
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、絶縁膜用の研磨剤と半導体基体用の研磨剤とを使い分けることによって、研磨速度を速めてかつ半導体基体の研磨面側を高品質に保って、表面の平坦化を図る。【構成】 第1工程で、半導体基体11の表面側に溝12を形成した後、その溝12の内部を埋め込む状態にして半導体基体11の表面に絶縁膜13を形成する。次いで第2工程で、酸化セリウム系の研磨剤を含む研磨液を用いた化学的機械研磨によって、絶縁膜13の表面側を除去して半導体基体11を露出させ、第3工程で、シリカ系の研磨剤を含む研磨液を用いた化学的機械研磨によって、主として半導体基体11の表面側を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基体の表面側に溝を形成した後、該溝の内部を埋め込む状態にして該半導体基体の表面に絶縁膜を形成する第1工程と、酸化セリウム系の研磨剤を含む研磨液を用いた化学的機械研磨によって、前記絶縁膜の表面側を除去して前記半導体基体を露出させる第2工程と、シリカ系の研磨剤を含む研磨液を用いた化学的機械研磨によって、主として前記半導体基体の表面側を除去する第3工程とからなることを特徴とするトレンチ素子分離の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/304 321
引用特許：
審査官引用 (4件)
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