特許
J-GLOBAL ID：200903046978353563
半導体基板の研磨方法とこれを用いた半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
佐藤 隆久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005819
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216094
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】半導体と酸化膜との間の選択研磨比を利用しながら酸化膜を直接研磨する。【構成】シリコン基板1に対する酸化シリコン膜3の選択研磨比が同等若しくはそれ以上に調整された酸化セリウムを主成分とする研磨剤Tを用いて、シリコンウェーハの表面にパターニングされた酸化シリコン膜を直接研磨する。さらに、この研磨面を、酸化シリコン膜に対するシリコン基板の選択研磨比が同等若しくはそれ以上に調整された研磨剤を用いて研磨する。この研磨面に、他の半導体基板を張り合わせて埋め込み絶縁層を有するSOI構造の半導体基板を得る。
請求項（抜粋）：
半導体に対する酸化膜の選択研磨比が同等若しくはそれ以上に調整された酸化セリウムを主成分とする研磨剤を用いて、半導体基板の表面にパターニングされた酸化膜を剛体定盤により研磨することを特徴とする半導体基板の研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 27/12
