特許
J-GLOBAL ID:200903045013788439

光源装置の製造方法および該方法により製造された光源装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西村 教光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-226410
公開番号(公開出願番号):特開2004-071710
出願日: 2002年08月02日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】全く新しい光を出射面側から出射する軽量小型で高輝度、長寿命な光源装置を得る。【解決手段】リードフレームにパターンプレスを行い、樹脂によりインサート成形を行う。スタンパによって別工程1で調合した波長変換材混入ペーストによって半導体発光素子を載置する位置に転写する。波長変換材混入ペーストを転写した上部位置に透明接着剤を添加し、その上に半導体発光素子を載置する。これを恒温槽に搬入しペーストおよび透明接着剤を硬化させ、半導体発光素子の電極と薄板リードフレームのパターンとの間をワイヤボンディングにより電気的に接続する。半導体発光素子や金ワイヤ等を設けたインサート成形により形成された凹部の全体に別工程2で混合、脱泡した透明樹脂を充填する。これを恒温槽に搬入し透明樹脂を硬化させる。リードフレームに形成された複数の光源装置をカッティングして、個々の光源装置に分離する。【選択図】 図13
請求項(抜粋):
InGaAlやInGaAlNやInGaNおよびGaN系の透明性を有した半導体発光素子および波長変換材料を用いた光源装置を製造する光源装置の製造方法において、 以下のステップで製造することを特徴とする光源装置の製造方法。 ステップ1:薄板リードフレームにパターンプレスを行う。 ステップ2:前記パターンプレスを行った前記薄板を樹脂によりインサート成形を行う。 ステップ3:スタンパにより、サブステップ1で調合した波長変換材混入ペーストを前記半導体発光素子を載置する位置に転写する。 ステップ4:前記波長変換材混入ペーストを転写した上部位置に透明接着剤を添加する。 ステップ5:前記透明接着剤を添加した上に前記半導体発光素子を載置する。ステップ6:恒温槽に搬入し前記ペーストおよび前記透明接着剤を硬化させる。 ステップ7:前記半導体発光素子の電極と前記薄板との間を電気的に接続する金ワイヤ等でワイヤーボンディングを行う。 ステップ8:サブステップ2で混合、脱泡した透明樹脂を、前記半導体発光素子や前記金ワイヤ等を設けた前記インサート成形により形成された凹部の全体に充填する。 ステップ9:恒温槽に搬入し前記透明樹脂を硬化させる。 ステップ10:前記リードフレームに形成された複数の前記光源装置をカッティングして、個々の前記光源装置に分離する。
IPC (2件):
H01L33/00 ,  H01L21/56
FI (2件):
H01L33/00 N ,  H01L21/56 E
Fターム (21件):
5F041AA04 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041AA47 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA17 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DB03 ,  5F041DB09 ,  5F041FF11 ,  5F061BA01 ,  5F061CA02 ,  5F061CA06 ,  5F061DD13 ,  5F061FA01
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 光源装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-032116   出願人:日本ライツ株式会社
  • 発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-176350   出願人:株式会社シチズン電子
  • 発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-204623   出願人:株式会社シチズン電子
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