特許

J-GLOBAL ID：200903045022827528

薄膜トランジスタパネルの製造方法

発明者： 松本 広
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127833
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324109
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】 アクティブマトリクス型液晶表示装置において、アモルファスシリコン薄膜をCWレーザのスキャン照射により結晶化させてなるポリシリコン薄膜により形成された、チャネル長方向が互いに直交する2種類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを小さくする。【解決手段】 走査ライン駆動回路部11の薄膜トランジスタ13のチャネル長方向L1とデータライン駆動回路部12の薄膜トランジスタ14のチャネル長方向L2とは互いに直交する方向となっている。この場合、ガラス基板4上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜を結晶化させてポリシリコン薄膜とするためのCWレーザのスキャン方向は、ガラス基板4の一端面4aaに対してほぼ45°傾斜する方向とする。すると、薄膜トランジスタ13、14の各チャネル長方向L1、L2がCWレーザのスキャン方向に対してそれぞれほぼ45°ずつ傾斜する方向となる。

請求項（抜粋）：

基板上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜をCWレーザのスキャン照射により結晶化させてポリシリコン薄膜とし、このポリシリコン薄膜を素子分離して2種類の薄膜トランジスタをその各チャネル長方向が前記CWレーザのスキャン方向に対して一方向および他方向にそれぞれ30 ゚〜60 ゚傾斜するように形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/1368

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 612 B

Fターム (54件)：

2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA38 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092MA07 ,  2H092MA12 ,  2H092MA28 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  5F052AA02 ,  5F052BA01 ,  5F052BB01 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 画像表示用の基板とその製造方法、およびTFT表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-174577   出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046226   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜トランジスタと表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-391435   出願人：松下電器産業株式会社