特許
J-GLOBAL ID:200903045058895465

強誘電体材料、強誘電体膜およびその製造方法、強誘電体キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリならびに圧電素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-002123
公開番号(公開出願番号):特開2005-097073
出願日: 2004年01月07日
公開日(公表日): 2005年04月14日
要約:
【課題】 角型性が良好なヒステリシス特性を有する強誘電体膜を形成することができる強誘電体材料を提供する。【解決手段】 本発明の強誘電体材料は、一般式ABO3で表される複合酸化物の原料液に、Aサイトの欠損を補うAサイト補償成分と、Bサイトの欠損を補うBサイト補償成分と、を含む。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式ABO3で表される複合酸化物の原料に、Aサイトの欠損を補うAサイト補償成分と、Bサイトの欠損を補うBサイト補償成分と、を含む、強誘電体材料。
IPC (12件):
C04B35/49 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  H01B3/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187
FI (15件):
C04B35/49 Z ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 Z ,  H01B3/12 301 ,  H01L21/316 G ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101D ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H ,  H01L27/04 C ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/10 444A ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444Z ,  H01L29/78 371
Fターム (71件):
2C057AG12 ,  2C057AG44 ,  2C057AG48 ,  2C057AP02 ,  2C057AP16 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA27 ,  4G031AA30 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA07 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083FR07 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34 ,  5F101BA62 ,  5F101BD02 ,  5G303AA07 ,  5G303AB05 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CB42
引用特許:
審査官引用 (4件)
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