強誘電体薄膜及びその製造方法、強誘電体メモリ、圧電素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-005297
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101491
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】強誘電体キャパシタ及び選択用CMOSトランジスタからなる1T1C、2T2C型強誘電体メモリ及び単純マトリクス型強誘電体メモリ等に使用可能な良好なヒステリシス特性を持つ強誘電体薄膜を提供する。【解決手段】強誘電体ペロブスカイト材料のAサイトイオンに少なくとも4配位のSi4+又はGe4+を1%以上含んだ強誘電体Pb(Zr,Ti)O3において、BサイトにNb、V、Wのうち、少なくとも1種類以上を合計で5モル%以上40モル%以下含むことにより信頼性を著しく向上させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ABO3又は(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-(式中、AはLi+、Na+、K+、Pb2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Bi3+、La3+からなる群から選択される1種又は2種以上のイオン、BはFe3+、Ti4+、Zr4+、Nb5+、Ta5+、W6+及びMo6+からなる群から選択される1種又は2種以上のイオン、mは1以上の自然数である。)で表されるペロブスカイト構造強誘電体又はビスマス層状構造強誘電体からなる強誘電体薄膜であって、 Aサイトイオンに少なくとも4配位のSi4+又はGe4+を含むことを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (15件)：

H01L27/105 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C04B35/46 , C04B35/49 , C04B35/495 , H01L21/316 , H01L21/8247 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24

FI (17件)：

H01L27/10 444C , C04B35/46 C , C04B35/49 Z , H01L21/316 G , H01L27/10 444A , H01L27/10 444B , H01L27/10 444Z , H01L29/78 371 , H01L41/18 101B , H01L41/18 101D , H01L41/18 101J , H01L41/22 A , H01L41/08 J , H01L41/08 D , C04B35/00 J , B41J3/04 103A , B41J3/04 103H

Fターム (90件)：

2C057AF54 , 2C057AF65 , 2C057AF93 , 2C057AG39 , 2C057AG44 , 2C057AG47 , 2C057AG52 , 2C057AG55 , 2C057AG92 , 2C057AG93 , 2C057AP02 , 2C057AP16 , 2C057AP25 , 2C057AQ02 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 4G030AA02 , 4G030AA03 , 4G030AA04 , 4G030AA08 , 4G030AA09 , 4G030AA10 , 4G030AA11 , 4G030AA12 , 4G030AA13 , 4G030AA14 , 4G030AA16 , 4G030AA17 , 4G030AA19 , 4G030AA20 , 4G030AA21 , 4G030AA23 , 4G030AA24 , 4G030AA27 , 4G030AA34 , 4G030AA37 , 4G030AA40 , 4G030AA43 , 4G030BA09 , 4G030BA10 , 4G030CA01 , 4G030CA08 , 4G030GA10 , 4G030GA20 , 4G030GA27 , 4G031AA01 , 4G031AA04 , 4G031AA05 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA08 , 4G031AA09 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA13 , 4G031AA14 , 4G031AA15 , 4G031AA17 , 4G031AA18 , 4G031AA21 , 4G031AA27 , 4G031AA30 , 4G031AA32 , 4G031AA35 , 4G031BA09 , 4G031BA10 , 4G031CA01 , 4G031CA08 , 4G031GA05 , 4G031GA06 , 5F058BA11 , 5F058BC04 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ04 , 5F083FR02 , 5F083FR03 , 5F083FR07 , 5F083FR10 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR23 , 5F083PR34 , 5F101BA01 , 5F101BA62 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (4件)

強誘電体薄膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-228895 出願人：沖電気工業株式会社, 逢坂哲彌, 東京応化工業株式会社
セラミックス膜およびその製造方法ならびに半導体装置および圧電素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-178839 出願人：セイコーエプソン株式会社
圧電体ペーストならびにこれを用いた圧電体膜および圧電体部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-317734 出願人：株式会社村田製作所

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