特許
J-GLOBAL ID：200903045059894675
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140554
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326468
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】基板ノイズの遮断効果の高い、良好な特性を得られる半導体装置を提供する。【解決手段】高濃度で低抵抗の不純物層を有するP型半導体基板1上にデジタル回路を構成する第1の半導体素子およびなログ回路を構成する第2の半導体素子を形成してなる半導体基板において、第1の半導体素子と第2の半導体素子を分離するトレンチ12が設けられ、トレンチ内部には、側壁に絶縁膜よりなるサイドウォール13’が設けられ、その内側にガードリング引出し電極14が設けられており、このガードリング引出し電極14がトレンチ14の底面部でP型半導体基板1に電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
高濃度で低抵抗の不純物層を有する半導体基板上にデジタル回路を構成する第1の半導体素子およびアナログ回路を構成する第2の半導体素子を形成してなる半導体装置において、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とを分離するトレンチが設けられ、該トレンチの内部には、側壁に絶縁膜が設けられ、その内側に導電体が埋設されており、該導電体がトレンチの底面部で前記半導体基板の不純物層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/76
H01L 27/04
, H01L 21/76 L
