特許

J-GLOBAL ID：200903045082497640

イオン注入装置

発明者： 橋本 勲 ,  米良 和夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-173286
公開番号（公開出願番号）：特開平10-021867
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】SIMOX基板用イオン注入装置は大容量で長時間の打込みが必要であり、そのため注入不純物の少ない、小型化されたイオン注入装置を提供する。【解決手段】ウエハ2を取付けて回転させながら注入する回転ホルダ1を円筒状とし、その内側にウエハ2を取付け、ウエハ周辺を押えることがなく、又回転ホルダ1か偏向磁石5の外周を回転させることにより、小型化できる。

請求項（抜粋）：

イオン源から取り出されたイオンビームをウエハに打込むイオン注入装置において、前記ウエハを複数保持する回転ホルダが円筒あるいは70度以上の傾斜を有する円錐を輪切りにした筒形状を有していることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01J 37/317 B ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/265 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-366540
  
• イオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320829   出願人：関西日本電気株式会社
• 特開昭64-060946