特許

J-GLOBAL ID：200903045094676540

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤本 博昭 ,  野村 徹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087010
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289756
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 ブレードを用いて個々の半導体装置に切断分割する一括成形による半導体装置の製造方法では、切断面にカエリが発生するという課題があった。【解決手段】 QFN型の半導体装置の電極リード20の底面の端部は断面方向にテーパー部16を有し、そのテーパー部16には製造過程でのカエリ部27が残存しているが、テーパー部16の領域にカエリ部27が位置し、その高さがリード底面を超えないため、半導体装置を実装基板に二次実装する際のカエリによる影響を解消できるものである。

請求項（抜粋）：

リードフレームのダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドとリードフレームの電極リードとを電気的に接続した接続部材と、前記リードフレームの少なくともダイパッド部、電極リードの底面を除いて前記半導体素子、前記接続部材の外囲を封止した封止樹脂とよりなる半導体装置であって、前記リードフレームの電極リードの外方側面は前記封止樹脂の側面と同一面に露出し、前記電極リード底面の端部は断面方向にテーパー部を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 23/50 B ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 W

Fターム (16件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DD12 ,  5F061EA13 ,  5F067AA01 ,  5F067AA09 ,  5F067AB03 ,  5F067AB04 ,  5F067BA08 ,  5F067BC12 ,  5F067BC13 ,  5F067DB00 ,  5F067DE20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-359749   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭61-008960
  
• 半導体パッケージおよび半導体パッケージ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-249913   出願人：ソニー株式会社
• 樹脂封止型半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-247521   出願人：松下電子工業株式会社