特許
J-GLOBAL ID：200903045110784510
フォトマスクにおけるパターン転写特性評価方法、フォトマスクの設計方法、露光方法、並びに半導体装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-236906
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】露光量裕度、パターンサイズ裕度及びデフォーカス裕度の内の2つを設定(設定裕度)し、残りの裕度(未設定裕度)の期待値に基づきフォトマスクにおけるパターン転写特性を評価する方法を提供する。【解決手段】この方法は、(イ)フォトマスクにおける評価パターンを複数設定し、且つ、設定裕度を設定し、(ロ)未設定裕度に関連する量を変化量として変化させて、評価パターンに基づき転写パターンを求め、(ハ)評価パターン上の予め設定された複数の測定点に対応する転写パターンの位置において、転写パターンの大きさを求め、(ニ)この大きさに基づき、設定裕度の設定値における変化量の最大値を未設定裕度の値として求め、(ホ)設定裕度の設定値を変え、工程(ロ)〜(ニ)を繰り返し、(ヘ)各評価パターンに対して、設定裕度の設定値の分布を表す確率密度関数及び未設定裕度の値のそれぞれに基づき、未設定裕度の期待値を求める。
請求項（抜粋）：
フォトマスクに形成されたパターンを、露光光を用いて基体上に形成されたフォトレジストに転写して、該フォトレジストに転写パターンを形成するフォトリソグラフィー工程に用いられる、光透過領域と遮光領域、若しくは光透過領域と半遮光領域、若しくは光透過領域と遮光領域と位相シフト領域、若しくは光透過領域と半遮光領域と位相シフト領域から成るパターンを有するフォトマスクにおけるパターン転写特性評価方法であって、(イ)フォトマスクにおける評価パターンを複数設定し、且つ、露光光の露光量裕度、デフォーカス裕度及びマスクのパターンサイズ裕度の内、2つの裕度を設定し、且つ、該2つの裕度のそれぞれの値を設定し、(ロ)マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定した場合にはデフォーカス値を変化量として変化させ、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカス裕度を設定した場合には露光光の露光量を変化量として変化させ、露光量裕度及びデフォーカス裕度を設定した場合にはマスクのパターンサイズを変化量として変化させて、評価パターンのそれぞれに対する転写パターンを求め、(ハ)各評価パターン上の予め設定された少なくとも1つの測定点に対応する転写パターンの位置において、かかる転写パターンの大きさを求め、(ニ)該求めた転写パターンの大きさに基づき、評価パターンのそれぞれに対して、2つの裕度の設定値における前記変化量の限界許容値を前記設定されていない1つの裕度の値として求め、(ホ)前記設定された2つの裕度の設定値を変え、工程(ロ)、(ハ)及び(ニ)を所望の回数繰り返し、(ヘ)各評価パターンに対して、前記設定された2つの裕度の設定値の分布を表す確率密度関数及び工程(ニ)にて求められた裕度の値のそれぞれに基づき、設定されていない1つの裕度の期待値を求め、該期待値に基づきパターン転写性能を評価する、各工程から成ることを特徴とするフォトマスクにおけるパターン転写特性評価方法。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, G03F 7/26 501
, G06F 17/50
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 7/26 501
, G06F 15/60 658 M
, G06F 15/60 666 C
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 V
