特許

J-GLOBAL ID：200903045123231731

固体電解コンデンサ素子の製造方法

発明者： 内藤 一美 ,  田村 克俊
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (3件)： 大家 邦久 ,  小澤 信彦 ,  林 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-279228
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045118
出願日： 2003年07月24日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】半導体層形成が比較的に短時間で行える固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供する。【解決手段】弁作用金属、弁作用金属を主成分とする合金、弁作用金属の導電性酸化物及びこれら2種以上の混合物から選ばれる少なくとも1種を含む材料からなる陽極体、前記陽極体の電解酸化(化成)により形成される酸化物を主成分とする誘電体層、前記誘電体層上に形成される半導体層及び前記半導体層上に積層した導電体層を有する固体電解コンデンサ素子の製造方法において、前記半導体層を化成電圧より高い電圧による通電手法により形成することを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

弁作用金属、弁作用金属を主成分とする合金、弁作用金属の導電性酸化物及びこれら2種以上の混合物から選ばれる少なくとも1種を含む材料からなる陽極体、前記陽極体の電解酸化(化成)により形成される酸化物を主成分とする誘電体層、前記誘電体層上に形成される半導体層及び前記半導体層上に積層した導電体層を有する固体電解コンデンサ素子の製造方法において、前記半導体層を化成電圧より高い電圧による通電手法により形成することを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01G9/00 ,  H01G9/028 ,  H01G9/032

FI (3件)：

H01G9/24 C ,  H01G9/02 331H ,  H01G9/02 321

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許1868722号公報
  
• 特許2054506号公報
  
• 特許1985056号公報
  

審査官引用 (3件)

• 固体電解コンデンサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-046998   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭60-244017
  
• 固体電解コンデンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-146803   出願人：日本電気株式会社