特許

J-GLOBAL ID：200903045132597161

シリカ系被膜の製造方法

発明者： 大久保 達也
出願人/特許権者： 大久保 達也
代理人 (1件)： 藍原 誠 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053773
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】LSI本体に熱的及び化学的ダメージを与えずに、low-k膜を形成するための層間絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】 シリカ源と界面活性剤を用いてメソポーラスシリカの超微粒子を合成後、抽出により界面活性剤を除去し、メソポーラスシリカの超微粒子の表面処理後に媒質に分散させることを特徴とする、シリカ系被膜用塗布液の製造方法。

請求項（抜粋）：

シリカ源と界面活性剤を用いてメソポーラスシリカの超微粒子を合成後、抽出により界面活性剤を除去し、メソポーラスシリカの超微粒子の表面処理後に媒質に分散させることを特徴とする、シリカ系被膜用塗布液の製造方法。

IPC (5件)：

C09D 1/00 ,  C01B 33/12 ,  C09C 1/28 ,  C09C 3/08 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

C09D 1/00 ,  C01B 33/12 C ,  C09C 1/28 ,  C09C 3/08 ,  H01L 21/316 G

Fターム (45件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG03 ,  4G072HH17 ,  4G072HH30 ,  4G072HH33 ,  4G072JJ47 ,  4G072MM31 ,  4G072NN21 ,  4G072QQ09 ,  4G072UU01 ,  4J037AA18 ,  4J037CB16 ,  4J037CB23 ,  4J037DD05 ,  4J037DD06 ,  4J037EE03 ,  4J037EE13 ,  4J037FF15 ,  4J037FF23 ,  4J038AA011 ,  4J038HA441 ,  4J038JA01 ,  4J038JA09 ,  4J038JA20 ,  4J038JA24 ,  4J038JA33 ,  4J038JA55 ,  4J038KA06 ,  4J038KA09 ,  4J038KA15 ,  4J038LA02 ,  4J038LA06 ,  4J038LA08 ,  4J038MA10 ,  4J038PA18 ,  4J038PB09 ,  4J038PB11 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 空調換気扇
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-199047   出願人：三洋電機株式会社, 三洋電機空調株式会社
• メソポーラスシリカおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-220190   出願人：日本化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Chem Commun, 1997, No.18, p.1769-1770