特許
J-GLOBAL ID：200903045140524254
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279294
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135243
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 予備回路部を有する半導体集積回路装置の歩留まりを向上させることを目的とする。【構成】 拡散工程10が完了した集積回路に対して拡散工程後検査工程11を行なった後、一の半導体基板上に多数の集積回路が形成されたままの状態で該集積回路に対してバーンイン工程12を行なう。バーンイン工程12が完了した集積回路に対してバーンイン後検査工程13を行ない、集積回路の良否を1個づつ検査する。バーンイン後検査工程13において集積回路に不良が発見され、その不良が該集積回路の通常回路部を予備回路部と切り替えることにより救済可能であると判断すると、該当する集積回路に対して通常回路部を予備回路部に切り替える冗長救済工程14を行なう。
請求項（抜粋）：
通常回路部及び予備回路部を含む集積回路が形成された半導体基板に対してバーンインを行ない上記集積回路の良否を検査するバーンイン工程と、該バーンイン工程において不良箇所が発見された集積回路の通常回路部を予備回路部に切り替える冗長救済工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G11C 29/00 303
, H01L 21/82
H01L 21/82 R
, H01L 21/82 T
