偏波変調可能な半導体レーザとその使用法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045196
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231133
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】外部からの制御によって出力光の偏光状態を変化させることができる偏波変調可能な半導体レーザ及びその使用法に関するものである。【構成】本発明の偏波変調可能な半導体レーザは、1つの共振器内に、異なる利得スペクトルを持つ2つ以上の活性領域31、32で形成される活性層があり、活性層の少なくとも1つの活性領域32は、TM偏波の光に対する利得がTE偏波の光に対する利得よりも大きく、また活性層の少なくとも他の1つの活性領域31は、TE偏波の光に対する利得がTM偏波の光に対する利得よりも大きい。

請求項（抜粋）：

1つの共振器内に、異なる利得スペクトルを持つ2つ以上の活性領域で形成される活性層があり、該活性層の少なくとも1つの活性領域は、TM偏波の光に対する利得がTE偏波の光に対する利得よりも大きく、また該活性層の少なくとも他の1つの活性領域は、TE偏波の光に対する利得がTM偏波の光に対する利得よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/103 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体光素子及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-336960 出願人：富士通株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-350703 出願人：アンリツ株式会社
多ビーム半導体量子井戸レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-162990 出願人：ゼロックスコーポレイション

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