特許
J-GLOBAL ID：200903045173355237
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-095870
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310467
出願日： 1993年04月22日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 フロン・ガスを用いずにGaAs/AlGaAs積層系のエッチングを行う。【構成】 HEMTのゲート電極形成用のリセス5aの加工において、n+ -AlGaAs層4上のn+ -GaAs層5を、酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウ等の無機酸化物とフッ素系化合物とを含むガスを用いてエッチングする。レジスト・マスク6の分解生成物に由来する炭素系ポリマーに>C=O基,>S=O基,-N=O基等の極性官能基、またはC-C結合よりも結合エネルギーの大きいC-O結合,C-S結合,C-N結合等が導入され、強固な側壁保護膜7が形成される。異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積量を低減でき、高選択・低汚染エッチングが行える。ガス組成の例は、CO/NF3/Ar,SO2 /NF3 /Cl2 ,NO/S2 F2 /Cl2 等。
請求項（抜粋）：
アルミニウムを含む化合物半導体層の上に積層されたアルミニウムを含まない化合物半導体層を、酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウから選ばれる少なくとも1種類の無機酸化物とフッ素系化合物とを含むエッチング・ガスを用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/338
, H01L 29/812
