特許
J-GLOBAL ID：200903045177342040
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037779
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213402
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 銅メッキ層と半田メッキ層とからなる突起電極を形成する際に、半導体基板の外周部上に形成される不要な半田メッキ層を容易に除去する。【構成】 接続パッド34に対応する部分における下地金属層形成用層35上に銅メッキ層38を形成した後、メッキレジスト層37の外周部を除去し、次いで銅メッキ層38上及び下地金属層形成用層35の外周部上に半田メッキ層39、40を形成する。次に、メッキレジスト層37及びその下の下地金属層形成用層35を除去する。次に、突起電極を形成するための半田メッキ層39の形状をほぼ球状とするための熱処理を行うと、下地金属層形成用層35の外周部上に形成された半田メッキ層40の除去を水洗により行うことが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され且つ該半導体基板上に被覆された絶縁膜に形成された開口部を介して露出された接続パッド上及び前記絶縁膜上に下地金属層形成用層を形成し、前記下地金属層形成用層の上面中央部の前記接続パッドに対応する部分を除く部分と前記下地金属層形成用層の上面外周部のメッキ電極形成領域を除く部分とにメッキレジスト層を形成し、第1の金属メッキ処理を行うことにより、前記接続パッドに対応する部分における前記下地金属層形成用層上に第1の金属メッキ層を形成し、前記メッキレジスト層の外周部を除去して前記下地金属層形成用層の上面外周部を露出させ、第2の金属メッキ処理を行うことにより、前記第1の金属メッキ層上及び前記下地金属層形成用層の上面外周部に第2の金属メッキ層を形成し、前記第1の金属メッキ層とその上に形成された前記第2の金属メッキ層とによって突起電極を形成する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 Z
, H01L 21/92 604 B
出願人引用 (3件)
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半導体装置の実装方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-265090
出願人：日本電装株式会社
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特開平4-208531
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特開昭63-006860
審査官引用 (9件)
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