特許

J-GLOBAL ID：200903045215576840

磁気抵抗素子及び磁気メモリ

発明者： 吉川 将寿 ,  北川 英二 ,  岸 達也 ,  與田 博明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-178615
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010590
出願日： 2006年06月28日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】磁化自由層の熱的安定性を維持しつつ、磁化反転の際の反転電流をより低減する。【解決手段】磁気抵抗素子は、積層面に垂直な方向に通電されることにより情報を記録する磁気抵抗素子であって、膜面に対して垂直な磁気異方性を有し、かつ磁化の方向が固定された磁化参照層11と、膜面に対して垂直な磁気異方性を有し、かつ磁化の方向が変化する磁化自由層13と、磁化参照層11と磁化自由層13との間に設けられた中間層12とを具備し、磁化自由層13は、少なくとも2層の強磁性層13Aと、強磁性層13A間に設けられた層間結合層13Bとを有する積層構造であり、強磁性層13Aは、層間結合層13Bを介して、強磁性的に結合している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

積層面に垂直な方向に通電されることにより情報を記録する磁気抵抗素子であって、 膜面に対して垂直な磁気異方性を有し、かつ磁化の方向が固定された磁化参照層と、 膜面に対して垂直な磁気異方性を有し、かつ磁化の方向が変化する磁化自由層と、 前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、 を具備し、 前記磁化自由層は、少なくとも2層の強磁性層と、前記強磁性層間に設けられた層間結合層とを有する積層構造であり、 前記強磁性層は、前記層間結合層を介して、強磁性的に結合していることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (42件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE28 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  5F092AA08 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB46 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC08 ,  5F092BC20 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC34 ,  5F092BC46 ,  5F092BE13 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,256,223号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 磁性体素子及磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-342576   出願人：株式会社東芝