磁性体素子及磁気メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-342576
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109263
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁性体素子及びこれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】磁性層と非磁性層とが交互に積層され前記磁性層のうち少なくとも1層の磁化が第1の方向に実質的に固定され且つ前記磁性層の2層以上の層が前記非磁性層を介して強磁性結合してなる第1の強磁性層と、磁化が第2の方向に実質的に固定された第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられ、磁化の方向が可変の第3の強磁性層と、前記第1乃至第第3の強磁性層間に設けられた第1及び第2の中間層と、を備え、前記第1及び第2の強磁性層の間で書き込み電流を流すことによりスピン偏極した電子を前記第3の強磁性層に作用させて前記第3の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁性体素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁性層と非磁性層とが交互に積層され前記磁性層のうち少なくとも1層の磁化が第1の方向に実質的に固定され且つ前記磁性層の2層以上の層が前記非磁性層を介して強磁性結合している第1の強磁性層と、磁化が第2の方向に実質的に固定された第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられ、磁化の方向が可変の第3の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第3の強磁性層との間に設けられた第1の中間層と、前記第2の強磁性層と前記第3の強磁性層との間に設けられた第2の中間層と、を備え、前記第1及び第2の強磁性層の間で書き込み電流を流すことによりスピン偏極した電子を前記第3の強磁性層に作用させて前記第3の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁性体素子。

IPC (3件)：

H01L43/08 , G11C11/15 , H01L27/105

FI (3件)：

H01L43/08 Z , G11C11/15 110 , H01L27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-116034 出願人：富士通株式会社

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