特許

J-GLOBAL ID：200903045216530003

薄膜基板およびその製造方法

発明者： 大島 年治 ,  佐藤 友紀 ,  棚橋 剛
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-130840
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317584
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】基板本体の内部配線との導通を要することなく、側面および上面にAuメッキなどを確実に且つ低コストで被覆した耐食性に優れた電極部を、上記基板本体の表面などに有する薄膜基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性の基板本体2と、基板本体2の表面3に形成した複数の電極部8とを含み、かかる電極部8は、基板本体2の表面3に形成した導電性薄膜18と、かかる導電性薄膜18の上方に形成したTi層16を含む導電体層10と、かかる導電体層10の側面10bおよび上面10aに被覆したNiおよびAuメッキ膜からなるメッキ膜12と、上記導電性薄膜18の周縁上方と上記メッキ膜12の底面との間に形成されたリング形状の不導体膜15と、を備えている、薄膜基板1。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁性の基板本体と、かかる基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成した複数の電極部とを含み、 上記電極部は、基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成した導電性薄膜と、 上記導電性薄膜の上方に形成した導電体層と、 上記導電体層の側面および上面に被覆したメッキ膜と、 上記導電性薄膜と上記メッキ膜との間に形成された不導体膜と、を備えている、 ことを特徴とする薄膜基板。

IPC (2件)：

H01L23/12 ,  H05K3/34

FI (2件)：

H01L23/12 Q ,  H05K3/34 501F

Fターム (5件)：

5E319AA03 ,  5E319AC01 ,  5E319AC18 ,  5E319GG15 ,  5E319GG20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-108788号公報(第1〜4頁、第1図〜第8図)
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭48-011238
  
• 配線基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-241483   出願人：日本特殊陶業株式会社
• 特開平3-108788