特許
J-GLOBAL ID：200903045240430850
半導体ウェハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126810
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312355
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップ内及び半導体チップ間において、パターンの線幅の均一性を高め、特性のばらつきを少なくして、歩留りを高める。【構成】 半導体チップ13の全体的な平面形状は正方形に近いが、4つの隅部が滑らかな曲線部であるか、または4つの隅部の直角二等辺三角形の部分が切除されている。このため、半導体ウェハにスクライブラインを形成した後に、この半導体ウェハ上にレジストを回転塗布しても、レジストの膜厚が不均一になっている塗布むら15が軽減されている。この結果、露光時のマスクの線幅が均一であれば、現像後のレジストの線幅には不均一性が少ない。
請求項（抜粋）：
内角が直角以下である頂点を平面形状が有していない半導体チップを含んでいることを特徴とする半導体ウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/78 L
, H01L 21/78 R
