特許

J-GLOBAL ID：200903045254732760

気相成長方法

発明者： 佐藤 栄治 ,  韮沢 信広 ,  小松 伸壽
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-278043
公開番号（公開出願番号）：特開平11-100675
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 熱CVDなどの気相成長法による成膜において、成膜面間バラツキを極力小さくする。【解決手段】 少なくとも、反応炉と、該反応炉内へ反応ガスを供給するための反応ガス供給手段と、該反応炉内に配置されたサセプタを有し、前記サセプタはその上面に載置されるウエハを加熱するための加熱手段を有する枚葉式気相成長装置を用いてウエハの表面に気相成長膜を成膜する気相成長方法において、成膜開始温度を各成膜処理毎の基板間で一定にして成膜を行う。

請求項（抜粋）：

少なくとも、反応炉と、該反応炉内へ反応ガスを供給するための反応ガス供給手段と、該反応炉内に配置されたサセプタを有し、前記サセプタはその上面に載置されるウエハを加熱するための加熱手段を有する枚葉式気相成長装置を用いてウエハの表面に気相成長膜を成膜する気相成長方法において、成膜開始温度を各成膜処理毎の基板間で一定にすることを特徴とする気相成長方法。

IPC (5件)：

C23C 16/46 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C23C 16/46 ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-297054
  
• 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-024724   出願人：日本電気株式会社