特許
J-GLOBAL ID:200903045259055864

単結晶引上装置のカーボンサセプタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外11名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-336111
公開番号(公開出願番号):特開平11-171682
出願日: 1997年12月05日
公開日(公表日): 1999年06月29日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、石英ルツボから発生するSiOガスを交換部材と選択的に反応させることにより、カーボンサセプタの減肉を効果的に防止して長寿命化を図る。【解決手段】 半導体融液を貯留する石英ルツボを収容して支持する周方向に分割されたカーボンサセプタの内周に、その分割線に沿って炭素材料からなる交換部材を着脱可能に嵌め込む。この交換部材は、カーボンサセプタの分割線と重なるように分割され、SiOガスと交換部材との珪化反応により発生したCOガスが、カーボンサセプタの分割部から外へと放出されるようになっている。これにより、交換部材の分割部周辺ではCOガス濃度が上昇せず、SiOガスと交換部材との珪化反応が選択的に行われることになる。
請求項(抜粋):
チャンバ内に、半導体融液を貯留するための石英ルツボと、該石英ルツボを収容して支持するための周方向に分割されたカーボンサセプタとが設けられる単結晶引上装置において、前記カーボンサセプタの内周に、その分割線に沿って炭素材料からなる交換部材が着脱可能に嵌め込まれ、前記交換部材は、前記カーボンサセプタの分割線と重なるように分割されていることを特徴とする単結晶引上装置のカーボンサセプタ。
IPC (2件):
C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502
FI (2件):
C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502 B
引用特許:
出願人引用 (2件)

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