特許
J-GLOBAL ID：200903045274375190

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
大島 知之

大島 知之 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-117994
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308108
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 バイア・ホールを有する電界効果トランジスタにおいて、十分な基板の強度を保つ構造を提供する。【解決手段】 活性領域と絶縁領域とを有する半導体層の表面側から、この半導体層の絶縁領域およびバッファ層を貫通して半導体基板に至るバイア・ホールを形成する。このバイア・ホールを介して半導体基板と半導体層上の電極とを接続する導電層を形成する。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成され活性領域と絶縁領域とを有する半導体層と、前記半導体層の前記活性領域上に形成された複数の電極と、前記半導体層の表面側から前記絶縁領域および前記バッファ層を貫通して前記半導体基板に至るバイア・ホールと、前記バイア・ホールを介して前記半導体基板と前記複数の電極のいずれかとを電気的に接続する導電層とを有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778
FI (3件)：
H01L 29/80 U ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 P
Fターム (14件)：
5F102FA00 ,  5F102GA14 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR10 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC30
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-319366   出願人：株式会社東芝
  • 特開昭61-187371
  • 化合物半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-060374   出願人：株式会社東芝
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