特許

J-GLOBAL ID：200903045304919360

光半導体素子

発明者： 高木 宏典
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015454
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214748
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】光利用効率に優れ外力や熱衝撃などに強く信頼性の高いワイヤボンディング用の電極を有する光半導体素子を提供することにある。【解決手段】半導体上に設けられた電極と、電極上の一部にワイヤボンディング用のパッド電極101とを有する光半導体素子100である。半導体上に設けられた電極が半導体表面に沿って、金属酸化物を含む透光性に優れた第1の部位112と実質的に酸素元素を含まず第1の部位を構成する金属元素を少なくとも含有する第2の部位122との部位で構成され、密着性に優れた第2の部位122上にワイヤボンディング用のパッド電極101を形成させたものである。

請求項（抜粋）：

半導体上に設けられた電極と、該電極上の一部にワイヤボンディング用のパッド電極(101)とを有する光半導体素子(100)であって、前記電極が半導体に沿って透光性の金属酸化物を含む第1の部位(112)と実質的に酸素元素を含まず前記第1の部位を構成する金属元素を少なくとも含む第2の部位(122)とを有し、前記電極の第2の部位(122)上にワイヤボンディング用のパッド電極(101)を有することを特徴とする光半導体素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-279967   出願人：日亜化学工業株式会社