プラズマ処理粒子制御のためのプラズマ・パージの方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325020
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176806
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】プラズマを使用した処理反応室内の集積回路層上に沈着する汚染物質粒子を制限する。【解決手段】プラズマを使用した処理および集積回路層に適した反応物質気体混合物、第1高周波電力および第1反応室圧力を利用する。その後、プラズマ処理の直後の第1パージ時間に第1プラズマ・パージ・ステップが行われ、このステップは、第1パージ気体混合物、第2高周波電力および第2反応室圧力を利用する。第2高周波電力は第1高周波電力より低く、第2反応室圧力は第1反応室圧力より高い。必要に応じて、第1プラズマ・パージ・ステップの直後の第2パージ時間に第2プラズマ・パージ・ステップが行われる。第2プラズマ・パージ・ステップは、第2パージ気体混合物、第3高周波電力および第3反応室圧力を利用する。第3高周波電力は第2高周波電力と同程度で、第3反応室圧力は第2反応室圧力より低い。

請求項（抜粋）：

プラズマを使用した処理反応室内の集積回路層上の汚染物質粒子沈着を制限するための方法であって、プラズマを使用した処理反応室内の集積回路層上にプラズマを使用した処理を行うステップにおいて、前記プラズマを使用した処理が、前記プラズマを使用した処理および前記集積回路層に適した反応性気体混合物、第1高周波電力および第1反応室圧力を利用するステップと、前記プラズマを使用した処理の直後の第1パージ時間に第1プラズマ・パージ・ステップを行うステップにおいて、前記第1プラズマ・パージ・ステップが第1パージ気体混合物、第2高周波電力および第2反応室圧力を利用し、前記第2高周波電力が前記第1高周波電力より低く、前記第2反応室圧力が前記第1反応室圧力より高いステップとを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

エッチングの後処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-354411 出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
特開昭56-087325
特開昭61-027636

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