特許
J-GLOBAL ID：200903045318200768
シリコンウエーハ表面のエッチング方法及び装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-160001
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330271
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウエーハ表面あるいは表層の重金属不純物の高感度分析に好適で、エッチング量のウエーハ面内均一性が高く、かつ面荒れを生じないシリコンウエーハ表面のエッチング方法を提供する。【構成】 密閉容器内1にシリコンウエーハWをシリコンウエーハ保持手段2で水平に保持するとともに、該保持手段2を冷却手段12で冷却し、密閉容器1内に設けられた貯蔵容器4に高純度硝酸を貯蔵し、貯蔵容器4を加熱手段5で加熱して硝酸のガスを発生させ、該ガスをシリコンウエーハW表面に結露させて薄膜を形成することによりシリコンウエーハW表面を親水性とした後、高純度弗化水素酸を酸滴下手段6により貯蔵容器4内の高純度硝酸に滴下して弗化水素酸のガスを発生させ、該ガスをシリコンウエーハW表面に形成されている第1成分の酸の薄膜に取り込ませることによりシリコンウエーハW表面の面状態を良好に保ちながらエッチングする。
請求項（抜粋）：
密閉容器内にシリコンウエーハを水平に保持し、該密閉容器内に第1成分の酸のガスを供給するか、または該密閉容器内で第1成分の酸のガスを発生させ、該ガスを前記シリコンウエーハ表面に結露させて薄膜を形成することによりシリコンウエーハ表面を親水性とした後、第2成分の酸のガスを前記密閉容器内に供給するか、または該密閉容器内で第2成分の酸のガスを発生させ、該ガスを前記シリコンウエーハ表面に形成されている第1成分の酸の薄膜に取り込ませることによりシリコンウエーハ表面をエッチングすることを特徴とするシリコンウエーハ表面のエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 P
, C23F 1/12
