特許

J-GLOBAL ID：200903045344015588

集積回路のモデル化方法および集積回路

発明者： ビアンチ・ラウル・アンドレ
出願人/特許権者： エスティマイクロエレクトロニクス エスエー
代理人 (1件)： 岡田 次生 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-000977
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264242
出願日： 2003年01月07日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】トランジスタのモデリングを提供し、最終的につくられるトランジスタの真の性能をシミュレーションモデルを用いてシミュレートされた性能に近づけること。【解決手段】少なくとも1つの絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む集積回路をモデル化するシステムにおいて本システムは、トランジスタの動作領域に加えられる機械的応力を表すパラメータを定義する生成手段(MLB)と、応力パラメータを考慮してトランジスタの少なくともいくつかの電気パラメータ(P)を決定する処理手段(MT)とを含む。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む集積回路のモデル化方法であって、前記トランジスタの動作領域に加えられる機械的応力を表すパラメータaeqを定義し考慮に入れて、前記トランジスタの少なくともいくつかの電気的パラメータを決定する集積回路のモデル化方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/00 ,  H01L 27/08 102 Z ,  H01L 29/78 301 Z

Fターム (19件)：

5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB04 ,  5F048BB14 ,  5F048BC01 ,  5F048BD02 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F140AA37 ,  5F140AB03 ,  5F140AC33 ,  5F140DB01 ,  5F140DB04 ,  5F140DB06 ,  5F140DB07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• MOSFETの電気的特性の特性化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-244416   出願人：モトローラ株式会社