面発光型半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-106884
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305354
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】発光効率に優れ、温度特性が良く、しかも長寿命で、長波長域のレーザ光を発光する面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本面発光型半導体レーザ素子50は、n-GaAs基板51上に形成された発振波長850nmのAl(Ga)As系第1の面発光型半導体レーザ構造部52と、第1の面発光型半導体レーザ構造部52上にモノリシックに集積され、第1の面発光型半導体レーザ構造部から放射されるレーザ光で光励起される発振波長1300nmのGaInNAs系材料からなる吸収領域を有する第2の面発光型半導体レーザ構造部53とを備えている。第2の面発光型半導体レーザ構造部は、GaInNAs系量子井戸活性層70と、ノンドープDBRミラー66、74を有する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に形成された第1の面発光型半導体レーザ構造部と、第1の面発光型半導体レーザ構造部上にモノリシックに集積され、第1の面発光型半導体レーザ構造部の発振波長よりもバンドギャップ波長が長いGaInNAs系材料からなる吸収領域を有するGaInNAs系第2の面発光型半導体レーザ構造部とを備え、第1の面発光型半導体レーザ構造部から出射されたレーザ光により第2の面発光型半導体レーザ構造部を光励起し、第2の面発光型半導体レーザのレーザ光を出力することを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

Fターム (7件)：

5F073AA74 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073DA27 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

長波長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-032765 出願人：古河電気工業株式会社
発光デバイスおよびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-368245 出願人：キヤノン株式会社
集積化発光装置およびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-195487 出願人：アセアブラウンボベリアクチーボラグ

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