特許

J-GLOBAL ID：200903045410288680

半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001623
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204771
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル成長後の輝点の発生を低減した半導体基板の製造方法、及び白傷欠陥を低減した固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】 固体撮像装置用のエピタキシャル半導体基板3の作製において、エピタキシャル層2を、1120°C以下の成長温度で成長するようになす。また、好ましくは水素アニールの前に、プレアニールを900°C以下の温度で行うようにする。

請求項（抜粋）：

固体撮像装置用のエピタキシャル半導体基板の作製において、エピタキシャル層の成長を、1120°C以下の成長温度で行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/146

FI (4件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322 J ,  H01L 27/14 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• エピタキシャルウェハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-355507   出願人：ソニー株式会社