特許
J-GLOBAL ID:200903045435988481
膜製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
曾我 道照 (外7名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-599493
公開番号(公開出願番号):特表2002-537088
出願日: 2000年02月18日
公開日(公表日): 2002年11月05日
要約:
【要約】本発明は、酸素分圧勾配を受けた場合に酸素を選択的に輸送する高密度無亀裂セラミック膜の製造方法であって、以下の:a)気体の輸送を可能にする開放網状構造の孔を有する多孔質セラミック基板の調製、b)該多孔質セラミック基板をコロイド分散液またはスリップと接触させることによる、該多孔質基板上への酸素イオン伝導物質の皮膜またはコーティングの付着、c)該基板および皮膜またはコーティングを熱処理し、該多孔質基板の表面に高密度無亀裂膜を生成する過程による方法に関する。
請求項(抜粋):
酸素分圧勾配を受けた場合に、酸素を選択的に輸送する高密度無亀裂セラミック膜の製造方法であって、 a)気体の輸送を可能にする、開放網状構造の孔を有する多孔質セラミック基板を調製する過程と、 b)該多孔質セラミック基板を、コロイド分散液またはスリップと接触させることにより、該多孔質基板上へ酸素イオン伝導物質の皮膜またはコーティングを付着させる過程と、 c)該基板および皮膜またはコーティングを熱処理し、該多孔質基板の表面に高密度無亀裂膜を生成する過程と、を特徴とする方法。
IPC (3件):
B01D 53/22
, B01D 69/10
, B01D 71/02 500
FI (3件):
B01D 53/22
, B01D 69/10
, B01D 71/02 500
Fターム (19件):
4D006GA41
, 4D006MA03
, 4D006MA09
, 4D006MA10
, 4D006MA22
, 4D006MA28
, 4D006MA31
, 4D006MB04
, 4D006MC03
, 4D006MC03X
, 4D006NA46
, 4D006NA47
, 4D006NA49
, 4D006NA62
, 4D006PA01
, 4D006PB17
, 4D006PB62
, 4D006PC69
, 4D006PC71
引用特許:
前のページに戻る