半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-152200
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340902
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】配線設計上大きな変更を伴うことなく半導体装置の配線構造のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】半導体装置は第1電流密度で使用される配線22を有する。配線22は第1材料からなる少なくとも2つの導体帯26、28を有する。導体帯26、28の夫々の断面積は、第1電流密度に基づいて、Lc=(Δσ・Ω・a)/(j・e・ρ・Z* )で与えられる臨界長Lc以下の長さで変化する。ここで、j:第1電流密度、e:素電荷、ρ:第1材料の比抵抗、Z* :有効電荷、Δσ:導体帯内に発生する応力差、Ω:第1材料の原子体積、a:第1材料の格子定数。断面積が変化する部位において導体帯26、28は接続導体帯29を介して互いに接続される。

請求項（抜粋）：

配線を有する半導体装置において、前記配線が、互いに対向して延在すると共に第1材料からなる第1及び第2導体帯を具備することと、前記第1導体帯がその長手方向に沿って断面積の異なる第1部分及び第2部分を有すると共に、前記第2導体帯がその長手方向に沿って断面積の異なる第3部分及び第4部分を有することと、前記第1部分は前記第2部分よりも大きな断面積を有すると共に、前記第3部分は前記第4部分よりも小さな断面積を有することと、前記第1部分と前記第3部分とが対向すると共に、前記第2部分と前記第4部分とが対向することと、前記第1及び第2導体帯が、前記第1及び第2部分間の部位と前記第3及び第4部分間の部位とを繋ぐと共に前記第1材料からなる第1接続導体帯を介して互いに接続されることと、を特徴とする半導体装置。

引用特許：

出願人引用 (2件)

配線構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-082558 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-018730

審査官引用 (2件)

配線構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-082558 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-018730

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