特許
J-GLOBAL ID：200903045453973670

フォトレジスト材料

発明者：
幡手 泰雄

幡手 泰雄 について

, 
板原 俊夫

板原 俊夫 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 筒井 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-155597
公開番号（公開出願番号）：特開2001-337458
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】 高速エッチングを行う場合のように高温条件でも基板から剥離することなく、さらに、現像処理も簡単に実施することのできるフォトレジスト材料を提供する。【解決手段】 キトサンと還元糖(二糖類、オリゴ糖、デキストリンなど)とを反応させることにより生成したキトサン誘導体から成ることを特徴とするフォトレジスト材料。このフォトレジスト材料の水溶液または稀酸水溶液を基板に塗布することにより該基板上に該フォトレジスト材料から成る被覆膜を形成し、基板上に形成されたフォトレジスト膜を重クロム酸系水溶液と接触させ、重クロム酸系水溶液と接触後のフォトレジスト膜から水分を除去した後、該フォトレジスト膜にフォトマスクを介して紫外線を照射してパターン露光し、さらに、パターン露光後のフォトレジスト膜から水または稀酸水溶液を用いて非露光部分を溶解除去して所望のパターンを現像することによりレジストパターンを形成するのに用いることができる。
請求項（抜粋）：
キトサンと還元糖とを反応させることにより生成したキトサン誘導体から成ることを特徴とするフォトレジスト材料。
IPC (5件)：
G03F 7/04 ,  C08B 37/08 ,  G03F 7/032 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/04 ,  C08B 37/08 Z ,  G03F 7/032 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (27件)：
2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BB01 ,  2H025CB01 ,  2H025CB04 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA40 ,  2H096AA25 ,  2H096BA07 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096HA17 ,  4C090AA08 ,  4C090BA47 ,  4C090BB17 ,  4C090BB33 ,  4C090BB36 ,  4C090BB53 ,  4C090BD03 ,  4C090BD17 ,  4C090DA31
引用特許：
審査官引用 (6件)
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