プラズマ成膜方法及び成膜構造

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉岡宏嗣 , 鵜沼辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-101093
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286705
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】基板上の成膜時間を短くするとともに、デバイスの特性低下を抑制すること。【解決手段】真空容器1内に高周波による電磁波を形成し、電磁波によって原料ガスのプラズマを発生させて、基板5上の成膜対象面に成膜を行なうプラズマ成膜方法において、電磁波をパルス状に形成するとともに、変調器16を用いて電極3のパルスの単位時間当たりのオン時間を膜厚方向で変更させるようにする。これにより、成膜によって形成される層間の界面を良好に保ち、デバイス特性の低下を抑制することができる。また、オン時間を適宜長くすることで、成膜時間を短縮することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

真空容器内に高周波による電磁波を形成し、該電磁波によって原料ガスのプラズマを発生させて、基板上の成膜対象面に成膜を行なうプラズマ成膜方法において、前記電磁波をパルス状に形成するとともに、前記電極のパルスの単位時間当たりのオン時間を膜厚方向で変更することを特徴とするプラズマ成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/505 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L21/316 M , C23C16/505 , H01L21/205

Fターム (39件)：

2H092JA24 , 2H092JB56 , 2H092MA08 , 2H092MA35 , 2H092NA27 , 4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030FA01 , 4K030JA01 , 4K030JA03 , 4K030JA11 , 4K030JA18 , 4K030JA20 , 4K030LA02 , 4K030LA04 , 4K030LA12 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045DA52 , 5F045EH12 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BF06 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF38 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

プラズマCVD装置及び薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-283098 出願人：日本真空技術株式会社

審査官引用 (1件)

プラズマ処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-151127 出願人：株式会社日立製作所

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