プラズマCVD装置及び薄膜製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283098
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110798
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】プラズマCVD法によって特性のよいゲート絶縁膜を製造する。【解決手段】変調装置5により、50Hz〜100kHの周波数で高周波電圧を変調し、電極14に印加する。電極14には高周波電圧が印加されない期間が生じ、その間、イオンや電子が消滅し、イオンや電子が入射せず、中性のラジカル粒子だけで膜成長が行われる。フラットバンド電圧のシフト量が小さく、品質のよい絶縁膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

真空槽と、前記真空槽内にガスを導入するガス導入手段と、前記真空槽内に配置され、前記真空槽内に搬入された基板が配置される載置装置と、前記真空槽内に配置され、前記ガス導入手段から導入されたガスをプラズマ化する電極とを有し、高周波電源装置から出力される交流電圧を前記電極に印加し、前記載置装置に配置された基板表面に薄膜を形成するプラズマCVD装置であって、前記高周波電圧装置には変調装置が設けられ、該変調装置が前記交流電圧を変調し、前記電極に印加される前記交流電圧が所定期間繰り返し停止させられるように構成されたプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/509 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/509 , H01L 21/316 X

Fターム (35件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA24 , 4K030BA44 , 4K030FA03 , 4K030JA11 , 4K030JA18 , 4K030KA17 , 4K030KA30 , 4K030LA02 , 5F045AA08 , 5F045AA16 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD07 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045BB16 , 5F045EH05 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F045EK07 , 5F058BA20 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG10 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (5件)

絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-082583 出願人：日本真空技術株式会社
プラズマCVD法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-276348 出願人：日新電機株式会社
プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-150625 出願人：松下電器産業株式会社

全件表示

前のページに戻る