スタティック型半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021967
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219589
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】消費電力が小さく、かつデータ保持能力が高いスタティック型半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 SRAMにおいて、電源制御回路20は、データの保持のみを行なうスリープ期間には、メモリセルMCおよびワード線電位固定回路23以外の回路への電源電圧Vccの供給を遮断する。ワード線電位固定回路23は、スリープ期間にはワード線WLを非選択レベルに固定する。スリープ期間にワード線電位が不安定になってメモリセルのデータが破壊されることがない。

請求項（抜粋）：

データの読出/書込を行なうアクティブモードと、データの保持のみを行なうスリープモードとを有するスタティック型半導体記憶装置であって、行列状に配列された複数のメモリセルと、各行に対応して設けられたワード線と、各列に対応して設けられたビット線対とを含むメモリセルアレイ、アドレス信号に従って、前記メモリセルアレイのうちのいずれかのメモリセルを選択し、そのメモリセルのデータの読出/書込を行なうための読出/書込回路、前記アクティブモード時は前記読出/書込回路に電源電圧を供給し、前記スリープモード時は前記読出/書込回路への電源電圧の供給を遮断する電源制御手段、および各ワード線に対応して設けられて対応のワード線と基準電位のラインとの間に接続され、前記スリープモード時に導通して対応のワード線を非選択状態に固定するスイッチ手段を備える、スタティック型半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-068930 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭60-226095

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