特許

J-GLOBAL ID：200903045493878610

MRAM装置およびMRAM装置への書き込み方法

発明者： ラング・ティ・トラン
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235407
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084757
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】MRAM装置のメモリセルのスイッチングの再現性または信頼性をスイッチング電流を増加させることなく改善することのできる方法および装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施例によれば、書き込み動作中、磁界バイアスがMRAM装置のメモリセルに印加される。磁界バイアスは永久磁石または電磁石によって印加することができ、磁界バイアスにより、メモリセルのスイッチングの再現性を改善することができる。

請求項（抜粋）：

MRAM装置において、第1および第2のトレースが交差する位置にある選択されたメモリセルへの書き込み方法であって、前記選択されたメモリセルに第1の磁界を印加するステップと、前記第1および第2のトレースに電流を供給して第2および第3の直交磁界を生成するステップと、を備えて成り、前記第1、第2、および第3の磁界は合成されて、前記選択されたメモリセルをスイッチングさせ、前記第1の磁界は、前記第2の磁界と同じ極性および同じ向きを有しており、これにより、前記第1の磁界の印加が、前記選択されたメモリセルのスイッチングの再現性を改善することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 反転用の中心核形成を備えた細長い磁気RAMセル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-024003   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション