特許
J-GLOBAL ID：200903037257286998

反転用の中心核形成を備えた細長い磁気RAMセル

発明者：
デーヴィッド・ウィリアム・エイブラハム

デーヴィッド・ウィリアム・エイブラハム について

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フィリップ・ルイ・トルユー

フィリップ・ルイ・トルユー について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション について


代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-024003
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273336
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 印加した磁気書込み刺激を使用して、その中で2通りの磁気状態のそれぞれを課すことができる可変性磁気領域を含む磁気デバイスを提供すること。【解決手段】 その後、デバイスを電気が通り抜けると、可変性磁気領域と最も近い基準磁気領域との磁気状態の相対配向を感知することができ、それにより、2進記憶能力が得られる。本発明は、可変性磁気領域の好ましい一部分、たとえば、互いに反対になるように2通りの磁気状態を確実に書き込むことができる一部分だけに磁気書込み刺激を制限する。磁気書込み刺激は、磁気刺激の印加に関連するビット線またはワード線構造を狭くするか、またはその縦寸法がそのそれぞれのワード線およびビット線の一方または両方の横寸法より大きくなるような細長い構造になるよう可変性磁気領域を長くすることにより、可変性磁気領域の好ましい一部分に制限される。本発明の原理は、ビット線とワード線のそれぞれの交点で磁気トンネル接合(「MTJ」)セルを使用する、磁気ランダム・アクセス(「MRAM」)アレイに適用することができる。
請求項（抜粋）：
印加された磁気刺激に応じて2通りの磁気状態のそれぞれに変化可能な第1の磁気領域と、前記第1の磁気領域の好ましい一部分だけに前記磁気刺激を印加するために、前記第1の磁気領域に対して配置された磁気印加構造とを含む、磁気デバイス。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
  • 特開昭63-061493
  • 特開昭63-061493
  • メモリー素子及び増幅素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-277574   出願人：松下電器産業株式会社
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