特許
J-GLOBAL ID：200903045508537904
金属配線構造及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024472
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237838
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 Cuを用いた金属配線においてCuの拡散及び寄生容量の増加を防いで素子の信頼性を高めることができる金属配線構造及び形成方法を提供する。【解決手段】 本発明金属配線構造は、導電線と隣接した絶縁膜の一部の密度を増加させたり、不純物の含有された変質層とする。また、本発明の金属配線形成方法は、半導体基板に形成されたシリコン酸化膜の所定領域にトレンチを形成する段階と、前記シリコン酸化膜の表面に変質層を形成する段階と、前記変質層上に導電性物質を堆積して導電線を形成する段階を有する。
請求項（抜粋）：
導電線とこれを電気的に絶縁させるための絶縁膜よりなる配線構造において、前記導電線と隣接した絶縁膜の部分を密度を増加させたり、不純物を含有させたりして変質層としたことを特徴とする金属配線構造。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/265
, H01L 21/31
H01L 21/90 L
, H01L 21/265 Y
, H01L 21/95
