三次元集積回路構造及びこれを作る方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲吉▼川俊雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-517574
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525004
出願日： 2004年06月23日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

垂直方向の半導体装置は、電気装置そして/または相互接続を含む分離して作られた基板に付加される。多くの垂直方向の半導体装置は物理的に互いに分離され、そして同一半導体本体又は半導体基板内には配置されない。多くの垂直方向の半導体装置は取り付けられた後に個別のドープされたスタック構造を生成するため、エッチングされた数個のドーピングされた半導体領域を含む薄い層として分離して作られた基板へ付加される。あるいは多くの垂直方向の半導体装置が分離して作られた基板に取り付けるのに先立ち製作される。ドープされたスタック構造は、ダイオードキャパシタ、n-MOSFET、p-MOSFET、バイポーラトランジスタ、及び浮遊ゲートトランジスタのベースを形成する。強誘電体メモリー装置、強磁性体メモリー装置、カルコゲニド位相変更装置が分離して作られた基板と連結して使用するために、堆積可能なアッド-オン層に形成される。堆積可能なアッド-オン層は相互接続ラインを含む。

請求項（抜粋）：

その中に形成される電気装置を有し、更に基板上に配置された最低一つの誘電層及び最低一つの相互接続層を有する基板の提供、誘電材料により互いに分離された、堆積可能なアッド-オン層内に配置された多くの垂直方向半導体装置を含む第一の堆積可能なアッド-オン層の提供、及び堆積可能なアッド-オン層を基板から最も離れた基板層へ取り付けることからなる半導体構造の形成方法。

IPC (21件)：

H01L 27/00 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/812 , H01L 21/338 , H01L 29/861 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/78 , H01L 21/824 , H01L 27/11 , H01L 27/108 , H01L 27/10 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/105

FI (18件)：

H01L27/00 301A , H01L27/08 102E , H01L27/04 A , H01L27/04 C , H01L29/72 Z , H01L29/80 B , H01L29/91 C , H01L29/48 M , H01L29/78 653B , H01L27/10 381 , H01L27/10 671A , H01L27/10 461 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 444A , H01L27/10 444B , H01L27/10 447 , H01L27/10 451

Fターム (89件)：

4M104AA09 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 4M104GG13 , 4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD33 , 4M119DD36 , 5F003AP05 , 5F003AZ03 , 5F003BA21 , 5F003BC05 , 5F003BF06 , 5F003BM01 , 5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC15 , 5F038BE07 , 5F038CA02 , 5F038CA03 , 5F038CA10 , 5F038CA16 , 5F038DF05 , 5F038EZ04 , 5F038EZ06 , 5F038EZ13 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AB01 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BB11 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048CB02 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F048CB07 , 5F048DA23 , 5F083AD02 , 5F083AD03 , 5F083BS14 , 5F083EP03 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP24 , 5F083EP30 , 5F083FR02 , 5F083FR06 , 5F083FR07 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F083ZA21 , 5F101BA01 , 5F101BA04 , 5F101BA12 , 5F101BA62 , 5F101BB02 , 5F101BB04 , 5F101BB09 , 5F101BD02 , 5F101BD16 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BF05 , 5F102GA00 , 5F102GA11 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GR04

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体集積回路装置およびその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-038972 出願人：日本電気株式会社
特開昭57-113267
特開昭57-113267

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