特許

J-GLOBAL ID：200903045544444670

強誘電体記憶装置

発明者： 布川 秀男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320575
公開番号（公開出願番号）：特開2000-149584
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、強誘電体キャパシタを備えた強誘電体記憶装置に関し、一つの強誘電体キャパシタに3値以上のデータを記憶し、記憶したデータを読み出すことができる強誘電体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 強誘電体キャパシタ3を有するメモリセル1と、3値以上のディジタル値を入力し、入力したディジタル値に対応する書込アナログ電圧を、強誘電体キャパシタ3の電極に与え、強誘電体キャパシタ3に残留分極を生じさせるDA変換手段21と、強誘電体キャパシタ3の残留分極の値に応じて得られる読出アナログ電圧を入力し、読出アナログ電圧を、元のディジタル値に復元するAD変換手段23とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

強誘電体キャパシタを有するメモリセルと、3値以上のディジタル値を入力し、入力した前記ディジタル値に対応する書込アナログ電圧を、前記強誘電体キャパシタの電極に与え、該強誘電体キャパシタに残留分極を生じさせるDA変換手段と、前記強誘電体キャパシタの残留分極の値に応じて得られる読出アナログ電圧を入力し、該読出アナログ電圧を、元のディジタル値に復元するAD変換手段とを備えたことを特徴とする強誘電体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 27/00 101 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00

FI (3件)：

G11C 27/00 101 A ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A

Fターム (5件)：

5B024AA15 ,  5B024BA02 ,  5B024BA25 ,  5B024CA07 ,  5B024CA25

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 多値強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208967   出願人：株式会社東芝
• 特開昭60-239994
  
• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-230314   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平2-146200
  
• 記憶システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-326344   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-094473