特許

J-GLOBAL ID：200903045549838102

不揮発性磁気メモリ

発明者： 早川 純
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-345435
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179483
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】磁気メモリにおいて、2端子でスイッチングと磁化反転を動作可能な高出力メモリセルを提供する。【解決手段】ダイオードとスピン注入磁化反転誘起層とトンネル型磁気抵抗効果素子からなるMIS接合積層膜を形成し、ビット線とワード線をこの積層膜に接続させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に電気的に接続されて形成された積層体を有し、 上記積層体は、pnダイオード、第1の強磁性層、非磁性層、第2の強磁性層、強磁性層間トンネルバリア層、及び第3の強磁性層をこの順に積層された構造を有し、 上記ワード線は、上記ダイオードと電気的に接続され、上記ビット線は、上記第3の強磁性層と電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性磁気メモリ。

IPC (6件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

FI (7件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10

Fターム (10件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA30 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083JA51 ,  5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375089   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク