記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田吉隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375089
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305337
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】磁気スピン極性化装置の自由層において磁化の逆転を生じる臨界値を低減する。【解決手段】 3層積層磁気スピン極性化装置および当該装置を使用した装置に関する。本発明に基づく装置は、自由磁気層を含む3層積層構造(16)を有する。この3層積層構造は、非磁性で導電性の層(162)と当該非磁性で導電性の層によって分離された2つの磁性体層(161、163)から構成される。当該積層構造には解除磁界が含まれないので、臨界書き込み磁束密度が低下する。間に介在する層自体もまた3層積層構造(12)であっても良い。上記の装置は磁気記憶素子に適用することができる。

請求項（抜粋）：

「固定」層と称する、磁界の向きが固定された第1の磁性体層(12)と、「自由」層と称する、磁界の向きを変更することができる第2の磁性体層(16)と、固定層と自由層とを隔離する絶縁又は半絶縁層(14)と、前記層の内部に、層と直交方向に電子流を流す手段(22、24)と、当該電流を構成する電子のスピンを極性化する手段とを具備する電磁装置であって、少なくとも前記自由磁性体層(16)が1つの非磁性体からなる導電層(162)によって隔てられた、逆方向に磁化された2つの磁性体層(161、163)からなる第1の3層積層構造であることを特徴とする電磁装置。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/105

FI (7件)：

H01L 43/08 Z , G11C 11/14 A , G11C 11/14 Z , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA30 , 5F083FZ10

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-277687 出願人：ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-265663 出願人：株式会社東芝
対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-019744 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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