特許

J-GLOBAL ID：200903045550069635

シフトレジスタ

発明者： 溝口 豊和
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-134130
公開番号（公開出願番号）：特開平9-297999
出願日： 1996年05月02日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 1回の先行走査で走査開始位置のみならず走査停止位置も設定し、所望範囲の走査を複数回行えるようにしたシフトレジスタを提供する。【解決手段】 各シフトレジスタユニット1Aに対して、隣接する2つのユニットの出力よりエッジ及び逆エッジを検出するエッジ及び逆エッジ検出部3,4と、エッジ及び逆エッジ信号記憶部7,8と、エッジ信号が記憶されたときにユニットのセットレベルを、他のときにリセットレベルを発生するプリセットレベル発生部9と、リセットレベル供給ライン10と、プリセットレベル発生部とユニットの出力間に配設され転送クロックと転送信号の論理積で制御されるプリセットレベル転送制御部11と、リセットレベル供給ラインとユニットの出力間に配設された転送クロックと逆エッジ信号記憶部の出力と本走査モード設定信号の論理積で制御されるリセットレベル転送制御部12とを設けて、シフトレジスタを構成する。

請求項（抜粋）：

シフトレジスタユニットを多段に従属接続し、クロックにより情報を伝達していくように構成した走査用シフトレジスタにおける各シフトレジスタユニットに対して、隣接する2つのシフトレジスタユニットの出力より、立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジを検出するエッジ検出部と、同じく前記2つのシフトレジスタユニットの出力より前記エッジ検出部が検出するエッジと逆のエッジを検出する逆エッジ検出部と、前記エッジ検出部の出力を記憶するエッジ信号記憶部と、前記エッジ検出部とエッジ信号記憶部の間に配設したエッジ信号記憶用スイッチと、前記逆エッジ検出部の出力を記憶する逆エッジ信号記憶部と、前記逆エッジ検出部と逆エッジ信号記憶部の間に配設した逆エッジ信号記憶用スイッチと、前記エッジ信号記憶部にエッジ信号が記憶されたときに前記シフトレジスタユニットのセットレベルを、その他のときにリセットレベルを発生するプリセットレベル発生部と、前記シフトレジスタユニットのリセットレベル供給ラインと、前記プリセットレベル発生部及び前記リセットレベル供給ラインと前記シフトレジスタユニットの出力の間にそれぞれ配設された、転送クロックと転送信号の論理積によって制御されるプリセットレベル転送制御部、及び前記転送クロックと前記逆エッジ信号記憶部の出力と本走査モード設定信号の論理積によって制御されるリセットレベル転送制御部とを設け、本走査に先立つ先行走査によって複数のクロック幅をもつシフトパルスを所望の位置までシフトした後、前記エッジ信号記憶用スイッチ及び逆エッジ信号記憶用スイッチを駆動し、前記エッジ検出部及び前記逆エッジ検出部の出力信号を前記エッジ信号記憶部及び前記逆エッジ信号記憶部に記憶し、本走査時に前記プリセットレベル転送制御部の作動によって、各シフトレジスタユニットの出力がハイインピーダンス状態のタイミングで前記エッジ信号に基づきセットレベル及びリセットレベルを各シフトレジスタユニットに転送し、且つ前記リセットレベル転送制御部の作動によって、各シフトレジスタユニットの出力がハイインピーダンス状態のタイミングで前記逆エッジ信号に基づき各シフトレジスタユニットの出力レベルをリセットレベルとする駆動手段を備えていることを特徴とするシフトレジスタ。

IPC (3件)：

G11C 19/00 ,  G06T 9/20 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

G11C 19/00 J ,  H04N 5/335 Z ,  G06F 15/70 335 Z

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平1-120182
  
• 撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-281440   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• シフトレジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-158131   出願人：オリンパス光学工業株式会社