特許

J-GLOBAL ID：200903045552161288

緩和InxGa(1-x)As傾斜バッファ

発明者： フィッツジェラルド ユージーン エイ ,  ブルサラ メイアンク ティー
出願人/特許権者： マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-523703
公開番号（公開出願番号）：特表2001-525614
出願日： 1998年11月25日
公開日（公表日）： 2001年12月11日
要約：

【要約】有機金属気相エピタクシ(OMVPE)によってGaAs基板上に成長する組成傾斜バッファ(104)を含むInxGa1-xAs構造体。半導体構造体と、そのような構造体の加工方法であって、GaAs基板(102)を備えるステップと、約600°Cより高い温度範囲にてInxGa1-xAsの緩和傾斜層(104)をエピタキシャル成長させるステップとを含む加工方法。

請求項（抜粋）：

半導体材料の製造方法であって、 GaAs基板を準備するステップと、 約600°Cより高い温度範囲にてInxGa1-xAsの緩和傾斜層をエピタキシャル成長させるステップと、を含む製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/80 B

Fターム (30件)：

5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045EE12 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F073BA05 ,  5F073CA15 ,  5F073CB02 ,  5F073CB08 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F102FB10 ,  5F102GA19 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-194779   出願人：富士通株式会社