特許
J-GLOBAL ID：200903045552934384
ヒーター埋込された平面導波路形光スイッチの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312950
公開番号（公開出願番号）：特開平8-328049
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 薄膜ヒーターで発生される熱が隣接するチャンネル導波路に伝達されるのを抑制して隣合うチャンネル導波路の間の漏話現状を防止でき、熱伝達速度が早いことよりスイッチング速度が早く、低い動作電源で動作できるヒーター埋込された平面チャンネル導波路形の光スイッチの製造方法を提供する。【解決手段】 チャンネル導波路が形成された下部クラッド層の上部にチャンネル導波路の上部で5〜10μm程度の薄い厚さを有する第1上部クラッド層を平坦に形成し、この第1上部クラッド層上部のチャンネル導波路と対応する部分にチャンネル導波路の線幅を比べて二倍程度の線幅を有する薄膜ヒーターを形成した後、第1上部クラッド層と薄膜ヒーターの上部に15〜20μm程度の厚さの第2上部クラッド層を形成し、薄膜ヒーターの早い熱放出のために上記第2上部クラッド層を除去して、薄膜ヒーターを露出させる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に下部クラッド層と導波路層を連続的に形成する工程と、上記導波路層の上部にマスクを形成する工程と、上記マスクを利用して上記導波路層をエッチングしてチャンネル導波路を形成し、上記マスクを除去する工程と、上記下部クラッド層と上記チャンネル導波路の上部に第1上部クラッド層を形成する工程と、上記第1上部クラッド層の上記チャンネル導波路に対応する部分に薄膜ヒーターを形成する工程と、上記第1上部クラッド層及び上記薄膜ヒーターの上部に第2上部クラッド層を形成する工程を具備するヒーター埋込された平面導波路形光スイッチの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特開昭64-070703
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光回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-187583
出願人：日本電信電話株式会社
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