特許
J-GLOBAL ID：200903045559640785
単結晶引上装置及び引上方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松澤 統
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-032010
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310492
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 CZ法で製造する単結晶の重量増加に対応して、単結晶の絞り部の下方に形成するくびれ部を把持するとともに、リメルト可能な単結晶引上装置及び引上方法を提供する。【解決手段】 シャフト方式の単結晶製造装置のガイドシャフト3に支持され、昇降自在かつ垂直面内で同一方向に揺動可能な2個の把持ロッド11、12を設ける。フォースバー2を釣支する重量センサ1の検出値が所定値に達したとき、フォースバー2に対して所定の傾斜角まで揺動させた把持ロッド11、12を垂直姿勢に戻し、単結晶14のくびれ部14aと把持ロッドのアーム11b、12bとの間に隙間を保ちつつくびれ部14aにアーム11b、12bを挿入させた後、くびれ部14aに掛止して単結晶14を把持する。把持ロッドの上昇は、重量センサ15、15の検出結果に基づいて独立に制御する。リメルト時は把持ロッドを揺動させてくびれ部14aから外す。
請求項（抜粋）：
CZ法による半導体単結晶製造装置に装着され、単結晶の肩部上端に形成したくびれ部を2個以上の把持ロッドで把持して引き上げる単結晶引上装置であって、前記把持ロッドがガイドシャフトによって支持され、平行な垂直面内で同一方向に揺動可能であることを特徴とする単結晶引上装置。
IPC (3件)：
C30B 15/32
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
C30B 15/32
, C30B 29/06 502 F
, H01L 21/208 P
