特許
J-GLOBAL ID：200903045575492540

半導体薄膜形成方法

発明者：
小黒 志津夫

小黒 志津夫 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277454
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139032
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 ステップカバレッジが良く、微細なコンタクトホールの埋設に適し、コンタクト抵抗の小さな薄膜を形成できる半導体薄膜形成方法を提供する。【構成】 シリコン基板11およびシリコン基板11上に形成されたn+ 拡散層12の上にシリコン酸化膜13を形成する。さらに、シリコン酸化膜13に微細なコンタクトホール14を穿設し、n+ 拡散層を露出させる。次に、不純物を導入しながらCVD法によるアモルファスシリコンゲルマニウム(a-Si1-x Gex )薄膜15を、多結晶Si1-x Gex 薄膜のGe含有量が適宜になるように(例えば、x=0.2〜0.4)堆積し、後に熱処理により多結晶化させ、多結晶SiGe薄膜16を形成する。
請求項（抜粋）：
電導性を持たせる目的の不純物を含んだ多結晶シリコンゲルマニウム(Si1-x Gex )薄膜の形成方法において、CVD法により不純物を導入しながらアモルファスシリコンゲルマニウム(a-Si1-x Gex )薄膜を堆積し、その後の熱処理により前記薄膜を多結晶化させることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/324
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開平4-168769
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-276434   出願人：日本電気株式会社
  • 特開昭62-073624
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