ダイナミツク型半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264802
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109268
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【構成】分割された各メモリサブアレイ1〜4のリフレッシュ操作を行うリフレッシュ制御回路5に、各メモリサブアレイ1〜4ごとに別個のリフレッシュ周期TA1〜TA4を設定することができるリフレッシュ周期設定回路6を設ける。【効果】分割された各メモリサブアレイ1〜4のうちで最も短い最長リフレッシュ周期Tref1〜Tref4を有するメモリサブアレイ1〜4以外のものについては、過剰なリフレッシュ操作を行う必要がなくなり、半導体記憶装置の消費電力削減に貢献することができる。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイが複数のメモリサブアレイに分割され、各メモリサブアレイについてリフレッシュ周期内にリフレッシュ操作を行うリフレッシュ手段を有するダイナミック型半導体記憶装置であって、該リフレッシュ手段は、各メモリサブアレイ毎に個別のリフレッシュ周期を設定するリフレッシュ周期設定手段を備えている、ダイナミック型半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

リフレツシユ制御回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-153652 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る